Samsung ha utilizado modelos informáticos avanzados para acelerar el desarrollo de la memoria de sólo selector (SOM), una nueva tecnología de memoria que combina la no volatilidad con velocidades de lectura/escritura similares a las de DRAM y capacidad de apilamiento.
Sobre la base de investigaciones anteriores de la compañía en este campo, SOM se basa en arquitecturas de memoria de punto cruzado, similares a la memoria de cambio de fase y la RAM resistiva (RRAM), donde se utilizan conjuntos de electrodos apilados. Normalmente, estas arquitecturas requieren un transistor o diodo selector para abordar celdas de memoria específicas y evitar vías eléctricas no deseadas.
Samsung ha adoptado un enfoque novedoso al explorar materiales a base de calcogenuro que funcionan como selector y elemento de memoria, introduciendo una nueva forma de memoria no volátil.
Una búsqueda más amplia
eeNews Analógico informa que los investigadores de Samsung presentarán sus hallazgos en la Reunión Internacional de Dispositivos Electrónicos de este año (IEDM), que tendrá lugar del 7 al 11 de diciembre, en San Francisco. El gigante tecnológico surcoreano analizará cómo analizó una amplia gama de materiales de calcogenuro para aplicaciones de MOS.
Samsung dice que su estudio exploró más de 4.000 combinaciones de materiales, reduciéndolas a 18 candidatos prometedores utilizando modelos informáticos basados en Ab-initio (consulte el diagrama en la parte superior de la página). La atención se centró en mejorar la deriva del voltaje umbral y optimizar la ventana de memoria, dos factores clave en el rendimiento de SOM.
La investigación tradicional de SOM se ha limitado al uso de sistemas de calcogenuros de Ge, As y Se que se encuentran en interruptores de umbral ovónico (OTS). Sin embargo, Samsung dice que su proceso de modelado integral permitió una búsqueda más amplia, considerando las características de unión, la estabilidad térmica y la confiabilidad del dispositivo para mejorar el rendimiento y la eficiencia.
En una presentación de seguimiento de IEDM, eeNews Analógico Según los informes, los investigadores de IMEC discutirán posibles mecanismos atómicos, como el reordenamiento de enlaces atómicos locales y la segregación atómica, que podrían explicar cómo funciona el componente selector en SOM, influyendo aún más en el voltaje umbral, un factor importante en el rendimiento de la memoria.
