Samsung confirma oficialmente por primera vez el chipset Exynos 2500 del Galaxy S25

Durante el último informe financiero, Samsung presentó oficialmente su chipset interno de 3 nm para teléfonos inteligentes, el Exynos 2500La compañía confirmó que lanzará el Exynos 2500 en algún momento a finales de este año. El próximo año Galaxia S25 y Galaxy S25 Plus Probablemente utilizará el SoC Exynos 2500 de Samsung en algunas regiones.

Cabe destacar que este es el segundo chipset de 3 nm de Samsung. A principios de este mes, Samsung presentó el Exynos W1000, que se basa en el proceso de 3 nm. El chip Exynos W1000 de 3 nm impulsa el Galaxy Watch7 y el Galaxy Watch Ultra, lanzados a principios de este mes.

En el segundo trimestre oficial de 2024 informe de resultados financierosse reveló que la empresa System LSI, responsable del desarrollo de sensores de cámara y procesadores para teléfonos inteligentes, asegura que no habrá escasez del chipset Exynos 2500 para los “productos insignia”.

También se señaló que después de recibir una respuesta positiva a su primer chipset de 3 nm, el Exynos W1000, en sus productos portátiles, Samsung tiene una opinión muy positiva sobre el Exynos 2500. El chip se construirá utilizando un proceso GAA de segunda generación, que mitigaría cualquier problema relacionado con el rendimiento y la eficiencia.

Se espera que Samsung lance el Serie Galaxy S25 en el primer trimestre de 2025. Es probable que la serie insignia S utilice el Qualcomm Snapdragon 8 Gen 4 para Galaxy y el chipset Exynos 2500. Algunos informes anteriores han sugerido que Samsung también podría Incluye chipsets MediaTek Dimensity en su serie Galaxy S25.

Anteriormente, también se reveló que el Exynos 2500 es Todo listo para superar el rendimiento del Snapdragon 8 Gen 4. Además, Samsung podría usar la tecnología de disipación de calor de la PC para administrar las temperaturas en el Exynos 2500.

Recientemente, se informó que Samsung podría utilizar Condensadores de silicio en Exynos 2500lo que permitiría un mejor control del voltaje y una reducción del ruido de frecuencia durante el alto rendimiento.



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